

| 1 | Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF |
| 2 | Frecuencia operativa de hasta 175 MHz |
| 3 | Potencia de salida máxima de 100 vatios |
| 4 | Voltaje de colector de 12.5 VCC |
| 5 | Diseño robusto para alta eficiencia energética |
| 6 | Impedancia entrada 1.5 - j0.9 y carga 0.5 - j1.0 |
