| 1 | Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia |
| 2 | Canal N para control preciso del flujo eléctrico |
| 3 | Frecuencia máxima de operación de 105 MHz |
| 4 | Encapsulado TO-18 compacto y resistente |
| 5 | Alto aislamiento con tecnología avanzada de interfaz |
| 6 | Diseño optimizado para aplicaciones de alta frecuencia |