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Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc 1
Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc

Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc

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$571.28

  • SKU: MRF-1518-T1
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El Transistor MRF1518T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM Moviles de 12.5 voltios

Rendimiento especificado @ 520 MHz,12.5 Volts.

  • Potencia de salida 8 Watts.
  • Ganancia de potencia 11dB.
  • Eficiencia- 55%.
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
  • Excelente estabilidad térmica.
  • Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 15.5Vcc 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
  • Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.

1Transistor FET de canal N de 8 W
2Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
3Alta ganancia de potencia de 11 dB
4Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
5Estabilidad térmica superior para operación continua
6Diseño SMD en envase plástico RF
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